Université catholique de Louvain
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La Louvain School of Engineering est à la recherche d'un doctorant en ingénierie de dispositifs à ondes millimétriques (mmWave) (4 ans) pour travailler sur les technologies de guides d'ondes en silicium pour les futures applications> 100 GHz.
Les technologies CMOS étant désormais réduites à bien en dessous de 50 nm, elles sont devenues des candidats appropriés pour les applications mmWave. La technologie RF SOI, qui offre des fréquences de coupure des transistors atteignant 400 GHz, est particulièrement intéressante et pour laquelle des émetteurs-récepteurs RF SOI fonctionnant à des fréquences voisines de 140 GHz ont maintenant été démontrés.
Cependant, un facteur limitant des technologies CMOS à une fréquence de fonctionnement> 100 GHz est lié aux pertes résistives élevées dans les lignes de transmission (microrubans, guides d'ondes coplanaires,…) utilisés pour propager les signaux (sous-) mmWave. Ces lignes sont traditionnellement construites dans les couches métalliques disponibles du CMOS back-end-of-lines (BEOL), mais celles-ci ont été conçues et optimisées pour les applications numériques haute densité. Aux fréquences sous-mmWave, les pertes résistives deviennent inacceptables et il est devenu clair que la faisabilité des circuits sub-mmWave basés sur CMOS nécessitera d'autres modes de propagation du signal que les lignes de transmission actuelles supportées par BEOL. Des approches basées sur des guides d'ondes intégrés au substrat (WG), qui sont connus pour fournir une réduction des pertes de près de 2 ordres de grandeur, seront étudiées au cours de cette thèse.
Les principales responsabilités comprennent donc:
Exigences du poste:
Informations sur le laboratoire d'hébergement
L'étudiant sera hébergé par le groupe RF SOI de la Louvain School of Engineering. Sous la direction du Prof. J.-P. Raskin, le groupe a été le pionnier de l'utilisation généralisée de SOI pour les applications RF et micro-ondes en établissant une voie claire pour transformer les substrats SOI avec perte en un matériau quasi sans perte. Grâce à ces développements, le substrat eSI ™ RF-SOI de SOITEC a pu remplacer III-V sur le marché des commutateurs RF pour téléphones mobiles et à l'heure actuelle, presque tous les nouveaux smartphones ont RF-SOI à l'intérieur.
Le Pr D. Lederer a rejoint la Louvain School of Engineering en septembre 2020 pour travailler sur les technologies THz. Il a également rejoint le groupe RF SOI pour explorer comment les limites de RF SOI peuvent être poussées vers des applications> 100 GHz.
Contactez-nous:
Prof. Dimitri Lederer, PhD
Université catholique de Louvain (UCLouvain)
Place du Levant, 3, Maxwell Building, bte L5.03.02
B-1348 Louvain-la-Neuve, Belgique
Tél: +32 10 47 25 61
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