PhD - Qualification et quantification des états de surface GaN, InGaN et AlGaN:

PhD - Qualification et quantification des états de surface GaN, InGaN et AlGaN:

France 31 oct. 2021
CEA Tech

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DÉTAILS OPPORTUNITÉ

Université étatique
Région
Pays hôte
Date limite
31 oct. 2021
Niveau d'études
Type d'opportunité
Spécialités
Financement d'opportunité
Financement complet
Pays éligibles
Cette opportunité est destiné à tous les pays
Région éligible
Toutes les régions

SL-DRT-21-0515

DOMAINE DE RECHERCHE

Physique du solide, surfaces et interfaces

ABSTRAIT

Les µLED basés sur GaN semblent prometteuses pour les applications de réalité augmentée (RA) ou de réalité virtuelle (VR). En effet, ils permettraient de réaliser des écrans avec des résolutions et des luminances non encore atteintes. Mais ces µLED souffrent d'une efficacité inférieure par rapport à leur grand frère. Une explication communément admise de cette dégradation d'efficacité réside dans l'existence de nombreux défauts de surface induits par la gravure par singularisation des pixels. Plus les dimensions de la LED sont petites, plus le jeu des défauts de surface dans le comportement électro-optique est important. Leur présence, si elles sont peu profondes, peuvent faciliter l'injection électrique, par contre si elles sont profondes, elles contribuent à la dégradation des performances électro-optiques de dispositifs comme les LED. Cette thèse vise à quantifier et qualifier les défauts de surface en GaN, InGaN et AlGaN qui composent les µLED à base de GaN. Le doctorant devra réaliser par lui-même toutes les étapes de réalisation de nouveaux composants nécessaires à cette étude, à commencer par la conception des masques de photolithographie, la réalisation de toutes les étapes technologiques et enfin les caractérisations électro-optiques telles que DLTS ( Deep Level Transient Spectroscopy), DLOS (Deep Level Optical Spectroscopy) ou photocourant. A la fin, le doctorant devra identifier les défauts de surface les plus limitants pour l'efficacité des LED et les plus favorables à l'injection de porteurs électriques.La thèse sera réalisée en étroite collaboration avec Ph Ferrandis (directeur de thèse ) de l'Institut Néel (CNRS), N.Rochat (co-encadrant) du CEA Leti (PFNC Nano Characterization Platform) et David Vaufrey (superviseur) du CEA Leti (LCEM Emissive Device Laboratory) .La bourse de thèse serait entièrement financée par le CEA Leti à Grenoble pour une durée de 3 ans.

EMPLACEMENT

Département d'Optronique (LETI)

Laboratoire des Composants Emissifs

Grenoble

CONTACT

VAUFREY David

CEA

DRT / DOPT // LCEM

17, rue des martyrs38054 Grenoble CedexBat. 52 - P. A204

Numéro de téléphone: +33 (0) 4 38 78 04 91

Courriel: David.Vaufrey@cea.fr

UNIVERSITÉ / ÉCOLE SUPÉRIEURE

Université Grenoble Alpes

Ecole Doctorale de Physique de Grenoble

EN SAVOIR PLUS

https://www.leti-cea.fr/cea-tech/leti

DATE DE DÉBUT

Date de début le 01-09-2021

SUPERVISEUR DE THESE

FERRANDIS Philippe

Université de Toulon

Institut Néel (CNRS UPR2940)

Institut NEEL CNRS / UGA UPR294025 rue des Martyrs BP 16638042 Grenoble cedex 9Bureau D417

Numéro de téléphone: 04 76 88 74 64

Courriel: philippe.ferrandis@neel.cnrs.fr

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