PhD - Dépôt sélectif de zone d'oxydes pour la microélectronique

DÉTAILS OPPORTUNITÉ

Récompense totale

0 $

Université étatique

CEA Tech

Région

Europe de l'Ouest

Pays hôte

France

Date limite

31 oct. 2021

Niveau d'études

Doctorat

Type d'opportunité

Doctorat

Spécialités

Cycle ingénieur , Physique , Chimie

Financement d'opportunité

Non financé

Pays éligibles

Cette opportunité est destiné à tous les pays

Région éligible

Toutes les régions

SL-DRT-21-0781

DOMAINE DE RECHERCHE

Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique

ABSTRAIT

Afin de réduire les coûts de fabrication des circuits intégrés et de poursuivre leur miniaturisation, des approches disruptives basées sur l'utilisation de procédés de dépôt sélectif sont désormais envisagées en complément de la photolithographie. Les développements récents sont principalement liés à l'utilisation du dépôt de couche atomique (ALD) qui est une technique très appropriée pour le développement d'un procédé sélectif en raison de sa grande sensibilité à la chimie de surface. L'ALD est une méthode de dépôt en couche mince basée sur l'adsorption auto-limitée sur une surface de précurseurs en phase gazeuse et des réactions de surface entre des molécules précurseurs et un réactif, permettant un contrôle à l'échelle atomique de l'épaisseur et de la qualité du matériau déposé. la thèse porte sur le développement d'un dépôt sélectif localisé (ASD pour Area Selective Deposition) basé sur l'utilisation d'une couche organique permettant la désactivation des réactions chimiques de surface dans l'ALD. Cette couche organique doit agir comme une couche d'inhibition de l'ALD qui permet un dépôt sélectif par zone. Dans la littérature, cette approche utilise généralement des monocouches auto-assemblées (SAM) qui peuvent présenter des limitations en termes de densité et de stabilité thermique ou chimique. Dans ce projet, nous nous concentrerons sur le développement de couches minces d'inhibition déposées par des procédés à base de vapeur dans le but de trouver une méthode polyvalente pour permettre le dépôt sélectif d'oxydes métalliques. Outre la sélectivité avec les dépôts ALD, le critère de sélection sera la stabilité thermochimique de la couche d'inhibition afin de supporter les conditions du processus ALD ainsi que la possibilité de déposer des couches d'oxyde épaisses. à plusieurs techniques de dépôt (ALD, PECVD, iCVD) ainsi qu'à une riche plateforme de nano-caractérisation (ellipsométrie, FTIR, angle de contact, AFM, XPS, Tof-SIMS). Ces analyses de surface et caractérisations de couches minces permettront d'identifier la meilleure approche afin d'obtenir les sélectivités les plus élevées possibles. Une caractérisation fine de films organiques et inorganiques à l'échelle nanométrique sera également réalisée sur des structures à motifs. Un objectif de ce travail sera également de mettre en évidence les mécanismes à l'origine de la sélectivité ainsi que la formation des défauts. Enfin, le processus ASD sera mis en œuvre pour la réalisation d'un démonstrateur (opto) électronique.