منصب الدكتوراه - منطقة الترسيب الانتقائي للأكسيدات للإلكترونيات الدقيقة

منصب الدكتوراه - منطقة الترسيب الانتقائي للأكسيدات للإلكترونيات الدقيقة

فرنسا 31 أكتوبر 2021
CEA Tech

CEA Tech

جامعة حكومية (فرنسا), تصفح الفرص المماثلة

تفاصيل الفرصة

جامعة حكومية
المنطقة
البلد المضيف
آخر موعد للتقديم
31 أكتوبر 2021
المستوى التعليمي
نوع الفرصة
التخصصات
تمويل الفرصة
تمويل كامل
الدول المؤهلة
هذه الفرصة متوفرة لجميع البلدان
المنطقة المؤهلة
جميع المناطق

SL-DRT-21-0781

مجال البحث

المواد والعمليات الناشئة لتقنيات النانو والإلكترونيات الدقيقة

نبذة مختصرة

من أجل تقليل تكاليف تصنيع الدوائر المتكاملة ومواصلة تصغيرها ، يتم الآن النظر في الأساليب التخريبية القائمة على استخدام عمليات الترسيب الانتقائي بالإضافة إلى الطباعة الحجرية الضوئية. ترتبط التطورات الحديثة في الغالب باستخدام ترسيب الطبقة الذرية (ALD) وهي تقنية مناسبة جدًا لتطوير عملية انتقائية نظرًا لحساسيتها العالية لكيمياء السطح. ALD هي طريقة ترسيب غشاء رقيق تعتمد على الامتزاز الذاتي المحدود على سطح سلائف الطور الغازي والتفاعلات السطحية بين جزيئات السلائف والكاشف ، مما يسمح بالتحكم على النطاق الذري في سمك وجودة المادة المترسبة. تتعلق الأطروحة بتطوير الترسيب الانتقائي الموضعي (ASD للترسيب الانتقائي للمنطقة) بناءً على استخدام طبقة عضوية تسمح بإلغاء تنشيط التفاعلات الكيميائية السطحية في ALD. يجب أن تعمل هذه الطبقة العضوية كطبقة تثبيط لـ ALD والتي تسمح بالترسيب الانتقائي حسب المنطقة. في الأدبيات ، يستخدم هذا النهج عمومًا طبقات أحادية مجمعة ذاتيًا (SAM) والتي قد يكون لها قيود من حيث الكثافة والاستقرار الحراري أو الكيميائي. في هذا المشروع ، سوف نركز على تطوير الأغشية الرقيقة للتثبيط المودعة بواسطة العمليات القائمة على البخار بهدف إيجاد طريقة متعددة الاستخدامات للسماح بالترسيب الانتقائي لأكاسيد المعادن. بالإضافة إلى الانتقائية مع رواسب ALD ، ستكون معايير الاختيار هي الاستقرار الكيميائي الحراري لطبقة التثبيط من أجل دعم ظروف عملية ALD بالإضافة إلى إمكانية ترسيب طبقات أكسيد سميكة ، وخلال هذه الرسالة ، سيتمكن طالب الدكتوراه من الوصول للعديد من تقنيات الترسيب (ALD ، PECVD ، iCVD) بالإضافة إلى منصة توصيف نانو غنية (قياس القطع ، FTIR ، زاوية الاتصال ، AFM ، XPS ، Tof-SIMS). ستسمح هذه التحليلات السطحية وتوصيفات الأغشية الرقيقة بتحديد أفضل نهج للحصول على أعلى انتقائية ممكنة. كما سيتم إجراء التوصيف الدقيق للأغشية العضوية وغير العضوية بالمقياس النانوي على هياكل منقوشة. سيكون أحد أهداف هذا العمل أيضًا إبراز الآليات في أصل الانتقائية بالإضافة إلى تكوين الخلل. أخيرًا ، سيتم تنفيذ عملية ASD لتحقيق المتظاهر الإلكتروني (opto).

موقعك

Département des Plateformes Technologiques (LETI)

المختبر

غرونوبل

الشخص الذي يمكن الاتصال به

جويرين كلوي

CEA

DRT / DTSI / SDEP / LDJ

حرم ميناتيك 17 شارع الشهداء 38054 غرونوبل

رقم الهاتف: 0438781060

البريد الإلكتروني: chloe.guerin@cea.fr

الجامعة / المدرسة العليا

جامعة غرونوبل ألب

IMEP2: Ingénierie - Matériaux - Environnement - Energétique - Procédés - Production

تاريخ البدء

تاريخ البدء 2021-10-01

المشرف أطروحة

جووسيوم فنسنت

CEA

DRT / DPFT

17، Avenue des Martyrs38054 Grenoble cedex 9

رقم الهاتف: 0438789522

البريد الإلكتروني: vincent.jousseaume@cea.fr

مؤسسات أخرى


اختر وجهتك الدراسية


اختر البلد الذي توّد السفر إليه للدراسة مجانا أو العمل أو التطوع

يمكنك أن تجد أيضا