PhD - Conception multiphysique de modules semi-conducteurs de puissance haute tension pour la conversion d'énergie renouvelable

DÉTAILS OPPORTUNITÉ

Récompense totale

0 $

Université étatique

CEA Tech

Région

Europe de l'Ouest

Pays hôte

France

Date limite

31 oct. 2021

Niveau d'études

Doctorat

Type d'opportunité

Doctorat

Spécialités

Cycle ingénieur , Physique

Financement d'opportunité

Non financé

Pays éligibles

Cette opportunité est destiné à tous les pays

Région éligible

Toutes les régions

SL-DRT-21-0387

DOMAINE DE RECHERCHE

L'énergie solaire pour la transition énergétique

ABSTRAIT

La recherche et le développement autour des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) fournissent des échantillons capables de résister à des tensions allant jusqu'à 15 kV. Ces dispositifs commutent à des vitesses très élevées (par exemple 120kV / µs pour un MOSFET SiC 10kV ou 180kV / µs pour un IGBT SiC 15kV). Dans l'ensemble, les performances de ces semi-conducteurs sont exceptionnelles et réduisent drastiquement les pertes de commutation par rapport aux équivalents silicium. La mise en œuvre de ces commutateurs est en revanche très délicate et fait appel à des méthodologies de conception multiphysique dans des domaines disciplinaires transversaux. C'est, à partir de la littérature scientifique abordée, un certain nombre d'obstacles scientifiques et technologiques que l'on peut lister: -La minimisation des inducteurs parasites des modules de puissance (